S6R1616V1M是16789216位異步快速SRAM芯片，由16比特組織為1M個字。使用16條公共輸入和輸出線，并且具有輸出使能引腳，其操作速度快于讀取周期的地址訪問時間。并且允許通過數(shù)據(jù)字節(jié)控制（UB，LB）進行低位和高位字節(jié)訪問。該器件采用先進的CMOS工藝、基于6-TR的單元技術(shù)制造，并設(shè)計用于高速電路技術(shù)。它特別適合在高密度高速系統(tǒng)應(yīng)用中使用。采用工業(yè)標準48TSOP1和48FBGA封裝。
 
特征
•快速訪問時間：8、10、12、15ns（最大值）
•CMOS低功耗
待機（TTL）：35mA（最大）
（CMOS）：28mA（最大）
工作電流：85mA（最大8ns）
75mA（10ns，最大值）
•單個3.3±0.3V或5.0±0.5V電源
•廣泛的電源
•TTL兼容輸入和輸出
•完全靜態(tài)操作，無需時鐘或刷新
•三態(tài)輸出
•數(shù)據(jù)字節(jié)控制（x16模式）
LB:I/O0~I/O7，UB:I/O8~I/O15
標準48 TSOP1和48FBGA封裝引腳配置
•符合ROHS
•在商業(yè)和工業(yè)溫度范圍內(nèi)運行


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