偉凌創(chuàng)芯EMI504WF16是一個容量4Mbit高速靜態(tài)SRAM存儲器，采用先進的CMOS工藝、基于6-TR的電池技術制造，專為高速電路技術而設計。位寬16x256K字節(jié)。使用16個公共輸入和輸出線，并具有一個輸出使能引腳，其操作速度比讀取周期的地址訪問時間快。它特別適合用于高密度高速系統應用。
 
    特性
    •快速訪問時間8ns,10ns,12ns。
    •CMOS低功耗待機
    •單臺3.3±0.3V,5.0±0.5V電源
    •寬電源范圍:1.65V~3.6V。
    •TTL兼容輸入和輸出
    •完全靜態(tài)操作。
    •三個狀態(tài)輸出。
    •數據字節(jié)控制(x8,x16模式)。
    •標準44TSOP2包。
    •工業(yè)操作溫度。
 
    安徽偉凌創(chuàng)芯微電子。專注存儲SRAM和MRAM、顯示驅動，接口轉換芯片設計、生產及銷售。為行業(yè)客戶提供高品質、低成本，供貨持續(xù)穩(wěn)定的自主知識產權的集成電路產品，產品領域涵蓋智能感知、網絡可視化、信息化、信息安全、大數據分析、智能語音、應用展現、特種通信和智能建筑等。
 
 
 本文關鍵詞：SRAM,EMI504WF16

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