MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有SRAM的高速讀取寫入能力，以及DRAM的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。MRAM具備高速讀寫、低功耗、高密度、耐擦寫、寬溫區(qū)和抗輻照等優(yōu)勢(shì)。
  
  非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
  •像SRAM一樣工作: 高速、高續(xù)航、單字節(jié)訪問(wèn)
  •像ROM/Flash一樣存儲(chǔ):不易揮發(fā)，保存時(shí)間長(zhǎng)
 
  MRAM優(yōu)勢(shì)
  •無(wú)需超級(jí)電容器
  -節(jié)省板面積，減少組件
  •快速通電
  -快速系統(tǒng)恢復(fù)
 

	nvSRAM	Winner	STT-MRAM
Write Speed*	25ns~45ns	←	35ns~300ns
Super-Capacitor Requirement	YES	→	NO
Recover time	600μs	→	Instant

 
 
  醫(yī)療系統(tǒng)示例



本文關(guān)鍵詞：STT-MRAM,MRAM,nvSRAM

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