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DDR1 SDRAM
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同步動態(tài)隨機(jī)存儲器芯片（Double Data Rate SDRAM）同步動態(tài)隨機(jī)存儲器芯片（Double Data Rate SDRAM）

為雙信道同步動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存，是新一代的SDRAM技術(shù)。
別于SDR（Single Data Rate）單一周期內(nèi)只能讀寫1次，DDR的雙倍數(shù)據(jù)傳輸率指的就是單一周期內(nèi)可讀取或?qū)懭?次。
在核心頻率不變的情況下，傳輸效率為SDR SDRAM的2倍
UniIC代理商logo西安紫光國芯的核心業(yè)務(wù)是存儲器設(shè)計(jì)開發(fā)，自有品牌存儲器產(chǎn)品量產(chǎn)銷售，DDR SDRAM或雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器是在計(jì)算機(jī)和消費(fèi)電子中廣泛使用的存儲器。它通過在時鐘信號的上升沿和下降沿處理數(shù)據(jù)的技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了比單倍數(shù)據(jù)速率SDRAM更高的帶寬。以下產(chǎn)品容量為1Gb，電壓為2.5V，提供PG-TFBGA-60和TSOPII-66封裝形式。我司可根據(jù)客戶不同的產(chǎn)品需求推薦性價比高且實(shí)用的產(chǎn)品。
型號 容量 位寬 電壓(V) 封裝 速度 溫度 PDF
SCB25D1G800AF 1Gb 128x8 2.5V PG-TFBGA-60 DDR-266/333/400 -40 ℃ ~ 85 ℃ 聯(lián)系我們
SCB25D1G160AE 1Gb 64x16 2.5V PG-TFBGA-60 DDR-266/333/400 -40 ℃ ~ 85 ℃ 聯(lián)系我們
SCB25D1G800AE 1Gb 128x8 2.5V TSOPII-66 DDR-266/333/400 -40 ℃ ~ 85 ℃ 聯(lián)系我們
SCB25D1G160AE 1Gb 64x16 2.5V TSOPII-66 DDR-266/333/400 -40 ℃ ~ 85 ℃ 聯(lián)系我們
SCB25D1G800AE 1Gb 128x8 2.5V TSOPII-66 DDR-266/333/400 0℃~ 70 ℃ 聯(lián)系我們
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備注：如需了解更多關(guān)于產(chǎn)品資訊，請聯(lián)系我們 0755-2372 3970，我們竭誠為您服務(wù)。
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