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磁性非易失MRAM
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磁性隨機存儲器芯片（MRAM）磁性隨機存儲器芯片（MRAM）

一種非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器。
它擁有靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，
以及動態(tài)隨機存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入
Everspin MRAM其原理是利用電子自旋的磁性結構，來提供不會產生損耗的非揮發(fā)特性。
Everspin MRAM可在集成了硅電路的磁性材料中存儲信息，以在單一、可無限使用的組件中提供SRAM的速度以及閃存的非揮發(fā)特性。
everspin代理商logoEverspin Technologies 并行MRAM具有兼容SRAM的35ns讀/寫周期，并擁有出色耐久性。與其他串行存儲器不同，這些存儲器的讀/寫操作可以是隨機的，而且沒有寫入延遲。對于MRAM來說，數(shù)據(jù)保持期長達20年以上而不會丟失，并會在掉電時由低壓抑制電路自動提供保護，以防止在非工作電壓期間寫入。 Everspin MRAM可以說是理想的存儲器解決方案。并且都與串行EEPROM、閃存和FeRAM產品兼容。
型號 容量 位寬 封裝 電壓 溫度 MOQ(pcs) /Tray MOQ(pcs) /T&R PDF
MR4A08BCMA35 16Mb 2Mx8 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃ 480 2500 聯(lián)系我們
MR2A16AYS35 16Mb 256Kx16 44-TSOP 3.3V 0℃to +70℃ 270 1500 聯(lián)系我們
MR2A16ACYS35 16Mb 256Kx16 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃ 270 1500 聯(lián)系我們
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MR4A08BYS35 16Mb 2Mx8 44-TSOP 3.3V 0℃to +70℃ 270 1500 聯(lián)系我們
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MR4A16BCYS35 4Mb 1Mx16 54-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃ 216 1000 聯(lián)系我們
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