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低功耗LPSRAM
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低功耗存儲器芯片（LOW POWER SRAM）低功耗靜態(tài)存儲器（LOW POWER SRAM）

低功耗SRAM芯片作為靜態(tài)隨機存儲器的一種類別；
特征為功耗低，速度快，一般容量在1/4/8/1616Mbit：
屬于易失性存儲芯片，掉電后數(shù)據(jù)會產(chǎn)生丟失：
主要應用于內(nèi)置電池，并對功耗非常敏感的產(chǎn)品，如POS機，手持設備等：
Lyontek代理商logo來揚科技股份有限公司( Lyontek Inc.)專長于靜態(tài)隨機存取記憶體Asynchronous SRAM(低功耗SRAM 及 高速 SRAM)之產(chǎn)品,以下產(chǎn)品為低功耗SRAM芯片，屬于靜態(tài)隨機存儲器芯片，產(chǎn)品的容量范圍為1/4/8/16Mb，常用容量為8Mb，電壓范圍在1.8V/3.3V/5V.，部分器件有寬電壓的電壓范圍，速度在44/55/75ns，大部分產(chǎn)品在選擇速度時一般以55ns為主。我司可根據(jù)客戶不同的產(chǎn)品需求推薦性價比高且實用的產(chǎn)品。
型號 容量 位寬 電壓(V) 速度(ns) Option 封裝 PDF
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LY62L204916A 32Mb 2M × 16 2.7V~3.6V 55/70(SL) C/I 48 BGA 聯(lián)系我們
LY62L205016A 32Mb 2M × 16/4M × 8? 2.7V~3.6V 55/70(SL) C/I 48 TSOP-I 聯(lián)系我們
LY62L205016B 32Mb 2M × 16/4M × 8? 2.7V~3.6V 55(SL) C/I 48 TSOP-I 聯(lián)系我們
LY62L20488A 16Mb 2M × 8 2.7V~3.6V 55/70(SL) C/I 48 BGA 聯(lián)系我們
LY62W20488 16Mb 2M × 8 2.7V~5.5V 55/70 C/E/I 44 TSOP-II 聯(lián)系我們
LY62L20488A 16Mb 2M × 8 2.7V~3.6V 55/70(SL) C/I 44 TSOP-II 聯(lián)系我們
LY62L20488 16Mb 2M × 8 2.7V~3.6V 55/70 C/E/I 48 BGA 聯(lián)系我們
LY62L20488 16Mb 2M × 8 2.7V~3.6V 55/70 C/E/I 44 TSOP-II 聯(lián)系我們
LY6220488 16Mb 2M × 8 4.5V~5.5V 55/70 C/E/I 44 TSOP-II 聯(lián)系我們
LY62L102616A 16Mb 1M × 16/2M × 8 2.7V~3.6V 55/70(SL) C/I 48 TSOP-I 聯(lián)系我們
LY62L102616 16Mb 1M × 16/2M × 8 2.7V~3.6V 55/70 C/E/I 48 TSOP-I 聯(lián)系我們
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LY62L102516A 16Mb 1M × 16 2.7V~3.6V 55/70(SL) C/I 48 TSOP-I 聯(lián)系我們
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LY625128 4Mb 512K × 8 4.5V~5.5V 45/55/70 C/E/I 32 sTSOP (8 × 13.4) 聯(lián)系我們
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LY622568 2Mb 256K × 8 4.5V~5.5V 45/55/70 C/E/I 32 sTSOP (8 × 13.4) 聯(lián)系我們
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LY62256 256Kb 32K × 8 2.7V~5.5V 35/55/70 C/E/I 28 300mil PDIP 聯(lián)系我們
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