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低功耗LPSRAM
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低功耗存儲器芯片(LOW POWER SRAM)低功耗靜態(tài)存儲器(LOW POWER SRAM)

低功耗SRAM芯片作為靜態(tài)隨機存儲器的一種類別;
特征為功耗低,速度快,一般容量在1/4/8/16
16Mbit:
屬于易失性存儲芯片,掉電后數據會產生丟失:
主要應用于內置電池,并對功耗非常敏感的產品,如POS機,手持設備等:

Renesas代理商LOGORenesas 瑞薩電子通過完整的半導體解決方案提供值得信賴的嵌入式設計創(chuàng)新,使數十億連接的智能設備能夠增強人們的安全和安全生活方式,以下產品為低功耗SRAM芯片,屬于靜態(tài)隨機存儲器芯片,產品的容量范圍為1/4/8/16Mb,常用容量為8Mb,電壓范圍在1.8V/3.3V/5V.,部分器件有寬電壓的電壓范圍,速度在44/55/75ns,產品在選擇速度時一般以55ns為主。我司可根據客戶不同的產品需求推薦性價比高且實用的產品。
型號 容量 位寬 封裝 存取時間 電壓(V) 操作溫度 PDF
R1LP0108ESN-7SI 1Mb x 8 SOP(32) 70 4.5 to 5.5 -40°C to 85°C 聯(lián)系我們
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HM6216514LTTI-5SL 8Mb x 16 TSOP(44) 55 4.5 to 5.5 -40℃ to 85℃ 聯(lián)系我們
RMLV0808BGSB-4S2 8Mb x 8 TSOP(44) 45 2.7 to 3.6 -40℃ to 85℃ 聯(lián)系我們
HM628100LTTI-5SL 8Mb x 8 TSOP(44) 55 4.5 to 5.5 -40°Cto 85°C 聯(lián)系我們
R1LV5256ESP-7SR 256Kb x 8 SOP(28) 70 2.7 to 3.6 0°C to 70°C 聯(lián)系我們
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R1LV0208BSA-5SI 2Mb x 8 sTSOP(32) 55 2.7 to 3.6 -40℃ to 85℃ 聯(lián)系我們
R1LV0216BSB-5SI 2Mb x 16 TSOP(44) 55 2.7 to 3.6 -40℃ to 85℃ 聯(lián)系我們
RMLV0416EGBG-4S2 8Mb x 16 FBGA(48) 45 2.7 to 3.6 -40℃ to 85℃ 聯(lián)系我們
R1LV1616HSA-5SI 16Mb x 8 / x 16 TSOP(48) 55 2.7 to 3.6 -40℃ to 85℃ 聯(lián)系我們
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R1LP0408DSP-7SI 4Mb x 8 SOP(32) 70 4.5 to 5.5 -40°C to 85°C 聯(lián)系我們
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R1LV1616HSA-4SI 16Mb x 8 / x 16 TSOP(48) 55 2.7 to 3.6 -40℃ to 85℃ 聯(lián)系我們
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RMLV1616AGSD-5S2 16Mb x 8/x 16 μTSOP(52) 55 2.7 to 3.6 -40°C to 85°C 聯(lián)系我們
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R1WV3216RBG-7SR 32Mb x 16 FBGA(48) 70 2.7 to 3.6 0°C to 70°C 聯(lián)系我們
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R1LV1616RSA-5SI 16Mb x 8 / x 16 TSOP(48) 55 2.7 to 3.6 -40°C to 85°C 聯(lián)系我們
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R1LV3216RSA-5SR 32Mb x 8 / x 16 TSOP(48) 55 2.7 to 3.6 0°C to 70°C 聯(lián)系我們
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R1LV3216RSD-5SR 32Mb x 8 / x 16 μTSOP(52) 55 2.7 to 3.6 0°C to 70°C 聯(lián)系我們
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RMLV0816BGSB-4S2 8Mb x 16 TSOP(44) 45 2.7 to 3.6 -40℃ to 85℃ 聯(lián)系我們
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備注:如需了解更多關于產品資訊,請聯(lián)系我們 0755-2372 3970,我們竭誠為您服務。
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