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存儲(chǔ)器SRAM仍是主流市場(chǎng)
低功耗SRAM存儲(chǔ)芯片,屬于靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片,產(chǎn)品的容量范圍為1 4 8 16Mb,常用容量為8Mb,電壓范圍在1 8V 3 3V 5V ,部分器件有寬電壓的電壓范圍,速度在44 55 75ns
2020-01-16
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ST-MRAM類別及發(fā)展由來
隨著自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)以及材料和結(jié)構(gòu)的優(yōu)化,基于自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)的STT-MRAM器件應(yīng)運(yùn)而生。自從自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)被證實(shí)以來,一方面研究人員通過大量的努力嘗試降低磁化反轉(zhuǎn)的臨界電流
2020-01-14
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串行及并行接口SRAM區(qū)別之處
外置SRAM通常配有一個(gè)并行接口??紤]到大多數(shù)基于SRAM的應(yīng)用的存儲(chǔ)器要求,選擇并行接口并不令人驚訝。
2020-01-10
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緩存應(yīng)用程序ST-MRAM流程和性能演示
英特爾顯示了2MB STT-MRAM陣列的L4緩存級(jí)應(yīng)用程序性能和可靠性。這要求在工業(yè)操作溫度范圍內(nèi)具有高密度,高帶寬和高耐久性。表I中所顯示STT-MRAM的L4高速緩存應(yīng)用程序所需的規(guī)范。
2020-01-08
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預(yù)期Nand-flash內(nèi)存需求市場(chǎng)及價(jià)格漲
威剛也指出,資料中心庫(kù)存已回復(fù)正常,需求可望逐步回溫提升,固態(tài)硬盤(SSD)與智能手機(jī)搭載容量成長(zhǎng),NAND Flash需求強(qiáng)勁,價(jià)格穩(wěn)定態(tài)勢(shì)有機(jī)會(huì)延續(xù)到第4季。
2020-01-06
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SPI NAND Flash滿足小型化需求
隨著5G網(wǎng)絡(luò)即將帶來的數(shù)據(jù)狂潮,萬物互聯(lián)對(duì)存儲(chǔ)芯片有了更高的需求,目前SPI SLC NAND 在PON、網(wǎng)通模塊、監(jiān)控等領(lǐng)域也逐步普及,SPI NAND有更快的寫入速度,且對(duì)于頻繁擦寫有著更高的穩(wěn)定性。
2020-01-02
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