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同步高速Sync High Speed
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同步高速存儲器芯片(Sync High Speed SRAM)

同步高速靜態(tài)存儲器是指Memory工作需要步時鐘,
內部的命令的發(fā)送與數據的傳輸都以它為基準;隨機是指數據不是線性依次存儲,
而是由指定地址進行數據讀寫。
對于SSRAM的所有訪問都在時鐘的上升/下降沿啟動。地址、數據輸入和其它控制信號均于時鐘信號相關。
這一點與異步SRAM不同,異步SRAM的訪問獨立于時鐘,數 據輸入和輸出都由地址的變化控制。
issiISSI用0.25微米工藝技術生產最新進的SRAM產品,產品都是由代工服務商代為生產,以下產品是為同步快速存儲器芯片簡稱為:sync Fast SRAM,是與時鐘同步運行的SRAM,同步SRAM的所有訪問都在時鐘的上升/下降沿啟動。地址、數據輸入和其它控制信號均于時鐘信號相關。電壓范圍在1.65V~5V,可以滿足大部分應用的電壓設計。
型號 容量 位寬 核心電壓 輸入輸出電壓 速度 tKQ(ns) 封裝(Pins) PDF
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IS61VF25636B 9Mb 256Kx36 2.5V 2.5V 133117 6.5,7.5 BGA(119),QFP(100),BGA(165) 聯系我們
IS61LF51218B 9Mb 512Kx18 3.3V 2.5/3.3V 133117 6.5,7.5 BGA(119),QFP(100),BGA(165) 聯系我們
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