一個(gè)典型的SRAM基本結(jié)構(gòu)中，每個(gè)存儲(chǔ)單元都通過(guò)字線和位線與它所在的行和列中的其它存儲(chǔ)單元有電學(xué)連接關(guān)系。水平方向的連線把所有的存儲(chǔ)單元連成一行構(gòu)成字線，而垂直方向的連線是數(shù)據(jù)輸入和數(shù)據(jù)輸出存儲(chǔ)單元的通路，稱(chēng)為位線。每一個(gè)存儲(chǔ)單元都能通過(guò)選擇適當(dāng)?shù)淖志€和位線被唯一地定位。宇芯有限公司介紹關(guān)于SRAM存儲(chǔ)器的讀操作分析。

   
SRAM存儲(chǔ)單元讀操作分析

存儲(chǔ)單元的讀操作是指被尋址的存儲(chǔ)單元將它存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)送到相應(yīng)位線上的操作。圖3.5 表示的是進(jìn)行讀操作的一個(gè)SRAM單元，兩條位線開(kāi)始都是浮空為高電平。假設(shè)當(dāng)前單元中存儲(chǔ)的值為邏輯“1”，即節(jié)點(diǎn)A為高電平，節(jié)點(diǎn)B為低電平。
 
讀操作開(kāi)始前，位線BIT和BIT_被預(yù)充電，預(yù)充電平的典型值是電源電壓。讀操作過(guò)程中字線ROW被驅(qū)動(dòng)到高電平，打開(kāi)傳輸管N3 和N4。由于節(jié)點(diǎn)A為高電平，節(jié)點(diǎn)B為低電平，位線BIT_就會(huì)經(jīng)過(guò)N4 和N2 放電，電平逐漸降低；此時(shí)，由于N3管源漏電壓近似相等，因此只有很小的電流流過(guò)，位線BIT會(huì)繼續(xù)保持高電平狀態(tài)。
 
隨著B(niǎo)IT_的放電，BIT和BIT_之間的差分電壓逐漸增大；差分電壓增大到一定程度后，靈敏放大器將放大并輸出差分電壓。但操作有兩點(diǎn)需要我們注意：當(dāng)字線電平升高之后，N4 和N2 的分壓作用將使節(jié)點(diǎn)B的電平升高，很可能使得N1 導(dǎo)通，從而對(duì)節(jié)電A放電。如果泄放掉的電荷較少（VGS≥Vth，若泄放電的電荷較多，有可能使得N3 管截止），可能導(dǎo)致N3 打開(kāi)，位線BIT會(huì)放電，增加差分電壓的建立時(shí)間；如果泄放電的電荷較多，那么P2 就可能成為導(dǎo)通狀態(tài)，進(jìn)一步抬高B點(diǎn)的電平，從而使得存儲(chǔ)數(shù)據(jù)從“1”翻轉(zhuǎn)為“0”，即發(fā)生所謂的“讀翻轉(zhuǎn)”。


VTI代理宇芯有限公司SRAM存儲(chǔ)器型號(hào)

型號(hào)	位寬	容量	溫度	電壓(V)	速度(ns)	C/S Option	封裝	包裝	狀態(tài)
VTI508NL16	512K x 16	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	1C/S	44TSOP2	Tray	MP
VTI508NL16	512K x 16	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	1C/S	48BGA	Tray	MP
VTI508HB08	1M x 8	8Mbit	Industrial	5.0	45/55	2C/S	48BGA	Tray	MP
VTI508HB08	1M x 8	8Mbit	Industrial	5.0	45/55	2C/S	44TSOP2	Tray	MP
VTI508NB16	512K x 16	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	2C/S	48BGA	Tray	MP
VTI508NB16	512K x 16	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	2C/S	44TSOP2	Tray	MP
VTI508NB08	1M x 8	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	2C/S	48BGA	Tray	MP
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VTI508HB16	512K x 16	8Mbit	Industrial	5.0	45/55	2C/S	48BGA	Tray	MP
VTI508HL16	512K x 16	8Mbit	Industrial	5.0	45/55	1C/S	48BGA	Tray	MP
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關(guān)鍵詞：SRAM  SRAM讀寫(xiě)