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汽車導(dǎo)航系統(tǒng)應(yīng)用富士通FRAM鐵電存儲器MB85R2001
來源：宇芯有限公司 日期：2020-06-24 09:59:49
MB85R2001是一種富士通FRAM芯片，由262,144字×8位非易失性存儲單元組成，這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)創(chuàng)建。能夠保留數(shù)據(jù)，而無需使用SRAM所需的備用電池。MB85R2001中使用的存儲單元可用于1010次讀/寫操作，與Flash存儲器 和E2PROM支持的讀和寫操作數(shù)量相比，有了顯著改進。使用與常規(guī)異步SRAM兼容的偽SRAM接口。
引腳
富士通的 MB85R2001和MB85R2002具有非易失性存儲器，具有高速數(shù)據(jù)寫入，低功耗和提供大量寫入周期的能力。
框圖
MB85R2001和MB85R2002 FRAM芯片是汽車導(dǎo)航系統(tǒng)，多功能打印機，測量儀器和其他高級應(yīng)用的理想選擇，這些應(yīng)用可以使用非易失性存儲器來存儲各種參數(shù)，記錄設(shè)備的運行狀況并保存安全信息。
MB85R2001的配置為256K字x 8位，而MB85R2002的配置為128K字x 16位。MB85R2001和MB85R2002均具有100ns的讀取訪問時間和150ns的讀/寫周期時間。MB85R2001和MB85R2002的工作電壓為3V至3.6V。富士通代理商提供產(chǎn)品技術(shù)支持及解決方案。
相關(guān)文章：不同類別存儲器基本原理
宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來楊Lyontek、ISSI、CYPRESS等多個品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲方案解決商。
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富士通的 MB85R2001和MB85R2002具有非易失性存儲器，具有高速數(shù)據(jù)寫入，低功耗和提供大量寫入周期的能力。
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MB85R2001和MB85R2002 FRAM芯片是汽車導(dǎo)航系統(tǒng)，多功能打印機，測量儀器和其他高級應(yīng)用的理想選擇，這些應(yīng)用可以使用非易失性存儲器來存儲各種參數(shù)，記錄設(shè)備的運行狀況并保存安全信息。
MB85R2001的配置為256K字x 8位，而MB85R2002的配置為128K字x 16位。MB85R2001和MB85R2002均具有100ns的讀取訪問時間和150ns的讀/寫周期時間。MB85R2001和MB85R2002的工作電壓為3V至3.6V。富士通代理商提供產(chǎn)品技術(shù)支持及解決方案。
關(guān)鍵詞：FRAM 富士通FRAM
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