盡管具有規(guī)模經(jīng)濟(jì)性，但其他類型的存儲器仍具有AI應(yīng)用程序的未來可能性。
 
MRAM通過受外加電壓控制的磁體的方向存儲數(shù)據(jù)的每一位。如果電壓低于翻轉(zhuǎn)位所需的電壓，則只有位翻轉(zhuǎn)的可能性。這種隨機(jī)性是不希望有的，因此可以用更高的電壓驅(qū)動MRAM來防止這種情況。某些AI應(yīng)用程序仍可以利用這種固有的隨機(jī)性（可以將其視為隨機(jī)選擇或生成數(shù)據(jù)的過程）。
 
實(shí)驗(yàn)已將其MRAM的隨機(jī)性功能應(yīng)用于Gyrfalcon的設(shè)備，該技術(shù)可將所有權(quán)重和激活的精度降低到1位。這用于大大減少遠(yuǎn)端應(yīng)用程序的計(jì)算和功耗要求?？赡苄枰M(jìn)行精確的取舍，具體取決于重新培訓(xùn)網(wǎng)絡(luò)的方式。盡管降低了精度，但仍可以使神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)可靠地運(yùn)行。
 
二元神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的獨(dú)特之處在于，即使減少了-1或+1的確定性，它們也可以可靠地起作用。 這種BNN仍然可以以較高的精度運(yùn)行，因?yàn)椋ㄍㄟ^）引入被錯(cuò)誤寫入的存儲位的所謂的”誤碼率”降低了確定性。
 
MRAM可以自然而然地在低電壓電平下引入誤碼率，從而在保持精度的同時(shí)進(jìn)一步降低了功耗要求。關(guān)鍵在于確定最低電壓和最短時(shí)間的最佳精度。這轉(zhuǎn)化為最高的能源效率。
 
盡管此技術(shù)還適用于更高精度的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，但它特別適用于BNN，因?yàn)?strong>MRAM單元具有兩個(gè)狀態(tài)，這些狀態(tài)與BNN中的二進(jìn)制狀態(tài)相匹配。
 
在邊緣使用MRAM是另一個(gè)潛在的應(yīng)用。
 
對于邊緣AI，MRAM能夠在不要求高性能精度的應(yīng)用中以較低的電壓運(yùn)行，但是提高能效和存儲器耐用性非常重要，此外MRAM固有的非易失性允許無需電源即可保存數(shù)據(jù)。
 
一種應(yīng)用是所謂的“統(tǒng)一存儲器”，“這種新興存儲器既可以充當(dāng)嵌入式閃存又可以替代sram，既節(jié)省了芯片面積，又避免了SRAM固有的靜態(tài)功耗。


Everspin MRAM型號表

型號	容量	位寬	電壓(V)	溫度	封裝	MOQ /托盤	MOQ /卷帶
MR25H40CDC	4Mb	512Kx8	3.3V	-40℃to+85℃	8-DFN	570	4,000
MR20H40CDF	4Mb	512Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN sf	570	4,000
MR25H40CDF	4Mb	512Kx8	3.3V	-40 ℃to +85℃	8-DFN sf	570	4,000
MR25H40MDF	4Mb	512Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN sf	570	4,000
MR25H10CDC	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN	570	4,000
MR25H10MDC	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN	570	4,000
MR25H10CDF	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN sf	570	4,000
MR25H10MDF	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN sf	570	4,000
MR25H256CDC	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN	570	4,000
MR25H256MDC	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN	570	4,000
MR25H256CDF	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN sf	570	4,000
MR25H256MDF	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN sf	570	4,000

 


關(guān)鍵詞：SRAM