如果簡(jiǎn)單地分類，大致可以把存儲(chǔ)器分為NAND Flash、NOR Flash和DRAM三類。得益于5G、AI、汽車電子等領(lǐng)域的不斷發(fā)展，DRAM、NAND Flash、NOR Flash也各自有不同的技術(shù)演進(jìn)方向。
 
  其中，NAND Flash在智能穿戴領(lǐng)域的發(fā)展迅猛，從早期用于簡(jiǎn)單的手環(huán)、手表，到現(xiàn)在用于可安裝APP、表盤顯示豐富的智能手表，其應(yīng)用場(chǎng)景也在隨著終端產(chǎn)品的演進(jìn)而不斷拓展。同時(shí)，SLC NAND Flash在服務(wù)器領(lǐng)域也有應(yīng)用，如陣列卡和BMC等部件正逐步采用SLC NAND。在AI服務(wù)器中，NAND Flash主要用于大量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(SSD)。
 
  NOR Flash主要應(yīng)用在長(zhǎng)尾市場(chǎng)，其市場(chǎng)營(yíng)收從20年前的上百億美元，降至如今的約26億美元，整個(gè)市場(chǎng)呈現(xiàn)出長(zhǎng)尾的特征。盡管其市場(chǎng)規(guī)模已經(jīng)縮小，但如今NOR Flash在多個(gè)領(lǐng)域仍被廣泛應(yīng)用。
 
  比如，在消費(fèi)電子領(lǐng)域，智能穿戴設(shè)備及家用DVB-C、DVB-S等設(shè)備常用NOR Flash；在汽車電子領(lǐng)域，NOR Flash的應(yīng)用不斷拓展，如汽車攝像頭和ADAS系統(tǒng)等；在通信領(lǐng)域，4G和5G通信設(shè)備需要高容量NOR Flash來滿足數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和程序運(yùn)行需求，基站部署推動(dòng)其在通信領(lǐng)域的應(yīng)用；在人工智能領(lǐng)域，NOR Flash在GPU顯卡中用于存儲(chǔ)固件和驅(qū)動(dòng)程序，確保顯卡的正常運(yùn)行和高性能表現(xiàn)。
 
  DRAM主要分為DDR、LPDDR和GDDR三類，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、移動(dòng)設(shè)備和圖形處理等領(lǐng)域。其中，DDR適用于計(jì)算機(jī)、服務(wù)器等高性能計(jì)算設(shè)備；LPDDR則針對(duì)移動(dòng)設(shè)備，如手機(jī)和平板電腦，因其低功耗特性而受到青睞；GDDR主要用于圖形處理，滿足顯卡等設(shè)備對(duì)高帶寬的需求。
 
此外，隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，基于DRAM研發(fā)的HBM(高帶寬存儲(chǔ)器)逐漸嶄露頭角。HBM通過3D堆疊技術(shù)實(shí)現(xiàn)了更高的帶寬和更低的功耗，適用于高通GPU、算力卡等對(duì)數(shù)據(jù)處理能力要求極高的應(yīng)用場(chǎng)景。


本文關(guān)鍵詞：DRAM,NOR Flash

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