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存儲(chǔ)器世代即將來(lái)到DDR5 (第五代雙倍數(shù)據(jù)率)的時(shí)代

來(lái)源:宇芯有限公司 日期:2017-11-29 15:38:38

存儲(chǔ)器頻寬與密度都比目前DDR4更高2倍的DDR5存儲(chǔ)器介面芯片研發(fā)成功,預(yù)計(jì)最快在2019年量產(chǎn),將為服務(wù)器的主存儲(chǔ)器帶來(lái)更高效能與功率管理…
 
Rambus最近宣布在其實(shí)驗(yàn)室中開(kāi)發(fā)出DDR5的可用芯片——DDR5是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)雙列直插式存儲(chǔ)器模組(DIMM)的下一代重要介面。預(yù)計(jì)從2019年開(kāi)始,暫存時(shí)脈驅(qū)動(dòng)器與數(shù)據(jù)緩沖器可望有助于為服務(wù)器倍增主存儲(chǔ)器的傳輸速率,同時(shí)也引發(fā)了對(duì)于未來(lái)運(yùn)算的爭(zhēng)論。
  
美國(guó)聯(lián)合電子裝置工程委員會(huì)(JEDEC)標(biāo)準(zhǔn)組織計(jì)劃在2018年6月之前宣布以DDR5規(guī)格作為下一代服務(wù)器的預(yù)設(shè)存儲(chǔ)器介面。但是,有些分析師指出,DDR5出現(xiàn)的時(shí)機(jī),將會(huì)在持久型存儲(chǔ)器(即儲(chǔ)存級(jí)存儲(chǔ)器)、新式電腦架構(gòu)與芯片堆疊等均陸續(xù)更新替代方案之際。
  
Rambus產(chǎn)品行銷(xiāo)副總裁Hemant Dhulla表示:“這是目前為止第一個(gè)在實(shí)驗(yàn)室中開(kāi)發(fā)出實(shí)際可行的DDR5 DIMM芯片組,預(yù)計(jì)會(huì)在2019年量產(chǎn)。我們希望可以先使其上市,并幫助我們的合作伙伴推出該技術(shù)。”
  
DDR5預(yù)計(jì)可支持高達(dá)6.4Gbits/s的數(shù)據(jù)率,傳輸頻寬最高達(dá)51.2 GBytes/s,分別較目前的DDR4支持的3.2Gbits數(shù)據(jù)率與25.6GBytes/s傳輸頻寬提高一倍。升級(jí)后的新版本將使64位元鏈路的運(yùn)作壓從1.2V降低至1.1V,并使突發(fā)周期(BL)從8位元進(jìn)展至16位元。除此此外,DDR5可還讓電壓穩(wěn)壓器安裝于該記憶卡,而不必再加進(jìn)主板中。


關(guān)鍵詞:DDR5

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