普通的存儲器器件為單端口，也就是數(shù)據(jù)的輸入輸出只利用一個端口，設(shè)計了兩個輸入輸出端口的就是雙端口sram。雖然還具有擴(kuò)展系列的4端口sram，但雙端口sram已經(jīng)非常不錯了。雙端口sram經(jīng)常應(yīng)用于cpu與其周邊控制器等類似需要直接訪問存儲器或者需要隨機(jī)訪問緩沖器之類的器件之間進(jìn)行通信的情況。下面專注于代理銷售sram芯片,PSRAM等存儲芯片供應(yīng)商介紹關(guān)于雙端口SRAM中讀干擾問題。

從存儲單元來看，雙端口SRAM只是在單端口SRAM的基礎(chǔ)上加上了兩個存取管（見圖1），但要實現(xiàn)兩個端口對存儲單元的獨立讀寫，還要對新增的端口復(fù)制一套單端口SRAM的讀寫外圍電路。然而這樣雖然增強(qiáng)了存儲器的讀寫能力，但卻是以降低存儲單元的穩(wěn)定性為代價的，具體表現(xiàn)為雙端口SRAM的兩個端口進(jìn)行同行存取時發(fā)生的讀寫干擾（Read/WriteDisturbance）問題；并且當(dāng)兩個端口進(jìn)行異步存取時，讀寫干擾會表現(xiàn)出一定的規(guī)律性；對讀寫干擾問題目前尚未找到完美的解決方法，現(xiàn)有的各個方法都具有一定的側(cè)重方向。
     
讀干擾的原理分析
 
如圖2（a）所示，當(dāng)雙端口SRAM的兩個端口對不同的行進(jìn)行操作時，只有連接在WLAn-1和WLBn上的存取管才會被打開，即一個雙端口SRAM存儲單元只有兩個存取管被打開，所以此時雙端口SRAM單元可以像單端口SRAM單元一樣工作。但是如果兩個端口對同一行進(jìn)行操作時，如圖2（b），由于半選擇問題該行所有存儲單元的所有存取管都將被打開。當(dāng)一個進(jìn)行讀操作的存儲單元的所有存取管都被打開時，和單端口SRAM讀操作時存取管降低RSNM同理，該單元的RSNM將有更大幅度的下降，這稱為讀干擾；此外，偽讀取操作對執(zhí)行寫操作的存儲單元的數(shù)據(jù)寫入也會造成困難，這稱為寫干擾?，F(xiàn)在假設(shè)A端口在進(jìn)行讀操作，B端口在進(jìn)行寫操作，下面分別分析讀干擾。

   
讀干擾
 
圖3是圖2（b）中左邊進(jìn)行讀操作的存儲單元的具體情形，可以看到，B端口的寫操作使WLB為高電平，此高電平對該單元產(chǎn)生了偽讀取操作。與單端口SRAM的讀取操作相比，下拉管N1將同時對BLA和BLB放電，這將導(dǎo)致兩個結(jié)果：第一，對BLA的放電電流減小，造成讀取時間增加；第二，D點電壓將會比單端口SRAM中讀取操作升高得更高，從而進(jìn)一步降低RSNM，甚至直接使單元翻轉(zhuǎn)。對于后者可以這樣簡單地分析：N3和N5同時打開后，二者并聯(lián)，若將其看成整體，則存取管的寬度將增加一倍，其“電阻”減半，而N1的電阻不變，故在放電通路上D點的分壓變得更高；對于前者，雖然放電通路的電阻減小，N1的下拉電流增大，但其還沒有增大到原來的兩倍（其寬度加倍電流才會加倍），而N3和N5的電流相等，故N3分得的電流較之單端口SRAM將減小。


 關(guān)鍵詞：SRAM  宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來楊Lyontek、ISSI、CYPRESS，VTI等多個品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲方案解決商。