FRAM只是一種像RAM一樣運行的高速非易失性存儲器。這允許程序員根據(jù)需要靈活地分配ROM和RAM存儲器映射。它為最終用戶創(chuàng)造了在底層對FRAM進行編程以根據(jù)他們的個人喜好進行定制的機會。獨立的FRAM允許設(shè)計人員發(fā)揮創(chuàng)造力，在廣泛的設(shè)計中探索和使用FRAM。本篇文章介紹富士通代理64Kbit非易失性鐵電存儲器MB85RS64VPNF-G-JNERE1。
 
■描述
MB85RS64VPNF-G-JNERE1是一款8192字×8位配置的FRAM（鐵電存儲器）芯片，采用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元。MB85RS64VPNF-G-JNERE1采用串行外設(shè)接口（SPI）。MB85RS64VPNF-G-JNERE1能夠在不使用備用電池的情況下保留數(shù)據(jù)，這是SRAM所需要的。
 
MB85RS64VPNF-G-JNERE1采用的存儲單元可進行10¹²次讀寫操作，相比Flash存儲器和E²PROM支持的讀寫操作次數(shù)有顯著提升。MB85RS64VPNF-G-JNERE1不需要像Flash存儲器或E²PROM那樣長時間寫入數(shù)據(jù)，并且MB85RS64VPNF-G-JNERE1不需要等待時間。
 
■特點
•位配置：8,192字×8位
•SPI對應(yīng)于SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
•工作頻率：20MHz（最大）
•高耐久性：10¹²次/字節(jié)
•數(shù)據(jù)保留：10年(+85℃)、95年(+55℃)、超過200年(+35℃)
•工作電源電壓：3.0V至5.5V
•低功耗：工作電源電流1.5mA(Typ@20MHz)待機電流10μA(Typ)
•工作環(huán)境溫度范圍：−40℃至+85℃
•封裝：8針塑料SOP(FPT-8P-M02)符合RoHS
 
富士通FRAM是新一代非易失性存儲器，其性能優(yōu)于E²PROM和閃存等現(xiàn)有存儲器，功耗更低，提供更高的速度和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的，但在RAM等其他方面運行。這種突破性的存儲介質(zhì)用于各種應(yīng)用，包括智能卡、RFID、安全和許多其他需要高性能非易失性存儲器的應(yīng)用。
 
FRAM不需要電池來備份其數(shù)據(jù)，從而在整個系統(tǒng)中節(jié)省了大量成本和電路板空間。它可以用于存儲設(shè)備的設(shè)置、配置、狀態(tài)，并且數(shù)據(jù)可以在以后使用。這些存儲的數(shù)據(jù)可用于重置設(shè)備、分析上次狀態(tài)和激活恢復操作。逐字節(jié)隨機訪問使內(nèi)存管理更有效。
 
 
關(guān)鍵詞：鐵電存儲器  

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