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FRAM鐵電存儲(chǔ)器比ADAS的傳統(tǒng)EEPROM擁有更多優(yōu)勢(shì)

來(lái)源: 日期:2021-12-07 13:54:20

過(guò)去幾年,人們對(duì)自動(dòng)駕駛汽車(chē)產(chǎn)生了極大的熱情。這的確在情理之中。自動(dòng)駕駛汽車(chē)有望帶來(lái)影響深遠(yuǎn)的好處:提高燃油效率、縮短行車(chē)時(shí)間、提高乘客體驗(yàn)和工作效率,讓可能無(wú)法開(kāi)車(chē)的老人和殘疾人自由駕駛,以及最重要的提高道路安全。
 
由于現(xiàn)在很多汽車(chē)都支持線(xiàn)控技術(shù),因此將這一功能從簡(jiǎn)單地提醒駕駛員超速的系統(tǒng)擴(kuò)展到防止駕駛員超速的系統(tǒng)可能相對(duì)簡(jiǎn)單,并且可以大大提高道路安全性。
 
行車(chē)記錄儀是用于記錄事故發(fā)生前各個(gè)重要子系統(tǒng)數(shù)據(jù)的系統(tǒng)??梢园惭b在ADAS主控單元,或者安裝在另一個(gè)接收重要傳感器數(shù)據(jù)并與ADAS MCU進(jìn)行通信的MCU中。
 
行車(chē)記錄儀通過(guò)測(cè)量汽車(chē)前部壓力傳感器的撞擊力、車(chē)速、發(fā)動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)速、轉(zhuǎn)向輸入、油門(mén)位置、制動(dòng)狀態(tài)、安全帶狀態(tài)(檢測(cè)乘客)、輪胎氣壓、警告信號(hào)以及安全氣囊打開(kāi)狀態(tài),從而判斷碰撞嚴(yán)重程度。并且在汽車(chē)碰撞前和碰撞期間記錄以上數(shù)據(jù)。顯然,微控制器不能等到事故發(fā)生才開(kāi)始記錄數(shù)據(jù)。因此,微控制器需要連續(xù)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。所以,EDR需要一個(gè)具有幾乎無(wú)限寫(xiě)次數(shù)的非易失性存儲(chǔ)器。
 
FRAM存儲(chǔ)器比ADAS的傳統(tǒng)EEPROM擁有更多優(yōu)勢(shì)。無(wú)需寫(xiě)等待時(shí),幾乎可以實(shí)時(shí)存儲(chǔ)重要數(shù)據(jù)(實(shí)際10us存儲(chǔ)時(shí)間),這一點(diǎn)對(duì)ADAS來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。EEPROM通常需要超過(guò)10毫秒的寫(xiě)等待時(shí)間,因此不適用于高安全性應(yīng)用。FRAM同時(shí)具備無(wú)寫(xiě)延遲和高速時(shí)鐘速度,非常適合需要快速寫(xiě)入大量數(shù)據(jù)的應(yīng)用。使用SPI時(shí),設(shè)計(jì)師可以自由決定FRAM的寫(xiě)入字節(jié)數(shù)。把一個(gè)或兩個(gè)字節(jié)寫(xiě)入FRAM的隨機(jī)位置時(shí),寫(xiě)入周期約為1微秒。反觀EEPROM或閃存,則需要5-10毫秒的寫(xiě)入周期。
 
與EEPROM或閃存不一樣的是,F(xiàn)RAM無(wú)需頁(yè)面緩沖區(qū)。在接收每個(gè)字節(jié)的第8位之后,F(xiàn)RAM立即寫(xiě)入每個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)。這意味著,系統(tǒng)存儲(chǔ)器密度增長(zhǎng)時(shí),工程師不必?fù)?dān)心頁(yè)面緩沖區(qū)大小的變化。
 
就寫(xiě)入耐久性而言,F(xiàn)RAM可以支持100億次寫(xiě)操作,遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)EEPROM的100萬(wàn)次以及閃存的10萬(wàn)次。因此FRAM可以用作追蹤數(shù)據(jù)記錄器,可以不斷寫(xiě)入數(shù)據(jù)。此外FRAM的寫(xiě)入和讀取的消耗功率非常低(例如1Mhz時(shí)為300微安),因此非常適用于事故引起斷電時(shí)需要使用低功率備用電源或通過(guò)電容寫(xiě)入數(shù)據(jù)的ADAS。與其他非易失性存儲(chǔ)器相比,F(xiàn)RAM的待機(jī)電流也低得多(通常為100微安)。

關(guān)鍵詞: FRAM,鐵電存儲(chǔ)器,EEPROM


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