隨著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的加速普及，對降低端點設(shè)備中使用的MCU的功耗有著強烈的需求。與閃存相比，MRAM 用于寫入操作所需的能量更少，因此特別適合數(shù)據(jù)更新頻繁的應(yīng)用程序。然而，隨著 MCU 對數(shù)據(jù)處理能力的需求激增，改善性能和功耗之間的權(quán)衡的需求也在增加。因此，進(jìn)一步降低功耗仍然是一個緊迫的問題。
 
瑞薩電子公司也于日前宣布開發(fā)了兩種技術(shù)。分別是：1）采用斜坡脈沖（slope pulse ）應(yīng)用的自終止寫入方案，根據(jù)每個存儲單元的寫入特性自動自適應(yīng)終止寫入脈沖；2) 用于優(yōu)化位數(shù)的寫入序列，同時向其施加寫入電壓結(jié)合。
 
這些技術(shù)可減少自旋轉(zhuǎn)移力矩磁性隨機存取存儲器 (STT-MRAM，以下簡稱 MRAM) 寫入操作的能量和電壓施加時間。在16 納米 FinFET邏輯工藝中嵌入 MRAM 存儲單元陣列的 20 兆位 (Mbit) 測試芯片上，其寫入能量減少了 72%，電壓施加時間減少了 50%。

關(guān)鍵詞：MCU,MRAM 

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