到2024年，MRAM的市場(chǎng)規(guī)模將增加40倍。2018年MRAM制造技術(shù)是40nm，而在2024年，預(yù)測(cè)其制造工藝將減少到16nm，存儲(chǔ)容量則會(huì)從1Gbit增加到8Gbit。2018年至2024年間，MRAM市場(chǎng)規(guī)模將以年均85％的速度增長(zhǎng)，到2024年將達(dá)到17.8億美元。現(xiàn)在已經(jīng)較為成熟的eMRAM在2026年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到約17億美元，相當(dāng)于整個(gè)新興eNVM市場(chǎng)的76%左右。
 
目前臺(tái)積電、聯(lián)電、三星、intel等公司同時(shí)在對(duì)RRAM和MRAM進(jìn)行投資，eRRAM也將是MRAM強(qiáng)大的對(duì)手。根據(jù)統(tǒng)計(jì)，臺(tái)積電已透過(guò)嵌入式OxRAM豐富其40nm ULP11制程，目前以22nm制程生產(chǎn)OxRAM。Dialog Semiconductors授權(quán)格芯使用Adesto CBRAM技術(shù)，目前格芯正將其用于22nm FDSOI上實(shí)施，用于低功耗消費(fèi)類應(yīng)用。聯(lián)電正與松下合作開發(fā)28nm OxRAM，未來(lái)幾年或?qū)⒚闇?zhǔn)進(jìn)軍智能卡市場(chǎng)。
 
中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的公司在MRAM上研究起步較晚， 其中Fabless企業(yè)亙存科技是國(guó)內(nèi)少有的已經(jīng)生產(chǎn)基于MRAM技術(shù)的創(chuàng)業(yè)公司。
 
亙存科技，杭州馳拓、上海磁宇、中芯國(guó)際、華為等公司也在籌建自旋芯片的研發(fā)、生產(chǎn)線。長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、兆易創(chuàng)新自旋芯片仍處于前期研發(fā)階段，但目前沒有進(jìn)入量產(chǎn)。作為半導(dǎo)體的技術(shù)大腦，國(guó)內(nèi)大學(xué)和科研院所也在發(fā)力。2017年，北京航空航天大學(xué)與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合成功制備國(guó)內(nèi)首個(gè)80nm STT-MRAM器件。
 
中科院微電子所表示，其在國(guó)內(nèi)首次采用可兼容CMOS工藝成功制備出直徑80nm磁隧道結(jié)，器件性能良好，其中器件核心參數(shù)包括隧穿磁阻效應(yīng)達(dá)到92%，可實(shí)現(xiàn)純電流翻轉(zhuǎn)且電流密度達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。 

關(guān)鍵詞： MRAM

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